晶体管类型：NPN集电极电流(Ic)：200mA集射极击穿电压(Vceo)：40V功率(Pd)：200mW集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V特征频率(fT)：300MHz工作温度：+150℃@(Tj)
晶体管类型：NPN
集电极电流(Ic)：200mA
集射极击穿电压(Vceo)：40V
功率(Pd)：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V
特征频率(fT)：300MHz
工作温度：+150℃@(Tj)
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