晶体管类型：PNP集射极击穿电压(Vceo)：25V集电极电流(Ic)：1.5A功率(Pd)：1W集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@800mA,80mA直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V特征频率(fT)：100MHz工作温度：+150℃@(Tj)
晶体管类型：PNP
集射极击穿电压(Vceo)：25V
集电极电流(Ic)：1.5A
功率(Pd)：1W
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@800mA,80mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：160@100mA,1V
特征频率(fT)：100MHz
工作温度：+150℃@(Tj)
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