晶体管类型：PNP集射极击穿电压(Vceo)：25V集电极电流(Ic)：500mA功率(Pd)：300mW集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V特征频率(fT)：150MHz工作温度：+150℃@(Tj)
晶体管类型：PNP
集射极击穿电压(Vceo)：25V
集电极电流(Ic)：500mA
功率(Pd)：300mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V
特征频率(fT)：150MHz
工作温度：+150℃@(Tj)
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