晶体管类型：NPN集射极击穿电压(Vceo)：45V集电极电流(Ic)：100mA功率(Pd)：200mW集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,5mA直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：300@1mA,5V特征频率(fT)：150MHz工作温度：+150℃@(Tj)
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：45V
集电极电流(Ic)：100mA
功率(Pd)：200mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@100mA,5mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：300@1mA,5V
特征频率(fT)：150MHz
工作温度：+150℃@(Tj)
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