晶体管类型:PNP集射极击穿电压(Vceo):30V集电极电流(Ic):1.5A功率(Pd):500mW集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@1.5A,30mA直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,2V特征频率(fT):120MHz工作温度:+150℃@(Tj)
晶体管类型:PNP
集射极击穿电压(Vceo):30V
集电极电流(Ic):1.5A
功率(Pd):500mW
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):2V@1.5A,30mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@500mA,2V
特征频率(fT):120MHz
工作温度:+150℃@(Tj)