晶体管类型：PNP集射极击穿电压(Vceo)：30V集电极电流(Ic)：3A功率(Pd)：500mW集电极截止电流(Icbo)：1μA集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@2A,200mA直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@1A,2V特征频率(fT)：50MHz工作温度：+150℃@(Tj)
晶体管类型：PNP
集射极击穿电压(Vceo)：30V
集电极电流(Ic)：3A
功率(Pd)：500mW
集电极截止电流(Icbo)：1μA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：500mV@2A,200mA
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@1A,2V
特征频率(fT)：50MHz
工作温度：+150℃@(Tj)
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