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STB160NF3LLT4
STB160NF3LLT4
主要参数
  • 制造厂商:ST(意法半导体)
  • 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:D2PAK
  • 技术参数:MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
  • 制造商产品型号:STB160NF3LLT4
  • 制造商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 描述:MOSFET N-CH 30V 160A D2PAK
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:STripFET? III
  • 零件状态:停产
  • FET类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):160A(Tc)
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):3.3 毫欧 @ 80A,10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):110nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):±16V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):5500pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):300W(Tc)
  • 工作温度:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 器件封装:D2PAK
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