STB24N60DM2
主要参数
- 制造厂商：ST（意法半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：D2PAK
- 技术参数：MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
- 制造商产品型号：STB24N60DM2
- 制造商：ST（意法半导体，STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：FDmesh? II Plus
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：600V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：200 毫欧 @ 9A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
- 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1055pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：D2PAK
- 现在可以订购STB24N60DM2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
扫一扫关注我们
关注我们
18123833861 
在线客服
1171257335@qq.com