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CSD95372BQ5MC
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主要参数

德州仪器 (TI) 为世界上最创新的电子公司提供服务,帮助他们发掘可改变我们生活方式的新思想。 TI 借助市场上范围最广的创新模拟芯片,帮助 90,000 客户解决各种设计问题,使他们能够为客户创建和交付高质量电子产品。

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL)1(无限)
制造商标准提前期6 周
系列NexFET™
包装剪切带(CT) ,带卷(TR) 
零件状态在售
FET类型2个N沟道(双)
FET功能标准
漏源极电压(Vdss)60V
电流-连续漏极(Id)(25°C时)15A
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)15毫欧@8A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)3.6V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)18nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)1400pF@30V
功率(最大值)2.1W
工作温度-55°C~150°C(TJ)
安装类型表面贴装(SMT)
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
供应商器件封装8-SOIC