LM5112SD/NOPB
主要参数
- 电子器件型号：LM5112SD/NOPB
- 原始制造厂商：TI，德州仪器（Texas Instruments）
- 技术标准参数：IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON
- 产品应用分类：电源管理IC - 栅极驱动器
- 制造商产品型号：LM5112SD/NOPB
- 制造商：Texas Instruments
- 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE 6WSON
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：卷带（TR）,剪切带（CT）
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：低端
- 通道类型：单路
- 驱动器数：1
- 栅极类型：N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：3.5V ~ 14V
- 逻辑电压?-VIL，VIH：0.8V，2.3V
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：3A，7A
- 输入类型：反相，非反相
- 高压侧电压-最大值（自举）：-
- 上升/下降时间（典型值）：14ns，12ns
- 工作温度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：6-WDFN
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