主营品牌

EC4406C-TL-H

主要参数

制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)
类目：FET - 单
规格：MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4
封装：4-UFDFN

原厂标准完整型号: EC4406C-TL-H

制造厂家名称: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 0.2A ESCP1008-4

系列: -

FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能: 逻辑电平栅极，1.5V 驱动

漏源极电压（Vdss）: 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 200mA（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 2.9 欧姆 @ 100mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: -

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 1nC @ 4V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 26pF @ 20V

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: 表面贴装

封装/外壳: 4-UFDFN

供应商器件封装: 4-ECSP1008