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FW276-TL-2H
FW276-TL-2H
主要参数
  • 制造商:安森美半导体 (ON Semiconductor)
  • 类目:场效应管阵列
  • 规格:MOSFET N-CH DUAL 400V 0.7A 8SOIC
  • 封装:8-SOIC

制造商零件编号:FW276-TL-2H

制造商:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH DUAL 400V 0.7A 8SOIC

系列:-

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss):450V

电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):700mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):12.1 欧姆 @ 350mA, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.7nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):55pF @ 20V

功率 - 最大值:1.6W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SOIC