主营品牌

NIF9N05CLT1G

主要参数

制造商：安森美半导体 (ON Semiconductor)
类目：单端场效应管
规格：MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
封装：SOT-223

制造商零件编号：NIF9N05CLT1G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：59V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.6A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 2.6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100?A

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：250pF @ 35V

功率 - 最大值：1.69W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：SOT-223